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中国推动打破美日韩的芯片垄断战

  长江存储相关负责人向《大公报》暗示,长江存储64层三维闪存产物的量产,将使中国与世界一线三维闪存企业的技能差距收缩到两年之内。

  据香港《大公报》克日报导,长江存储官网动静,上海中国国内半导体展览会举办前夜,公司颁布发表已起头量产基于XtackingR架构的64层“三阶贮存单位”3DNAND闪存。作为中国首款64层3DNAND闪存,该产物将表态展览会紫光团体展台。

  参考动静网9月11日报导港媒称,紫光团体旗下长江存储克日颁布发表,已起头量产基于自主研发Xtacking架构的64层三维闪存(3DNAND),容量为256Gb,以满意固态硬盘(SSD)嵌入式存储等支流市场利用的需要,这也是中国首款64层三维闪存芯片,将使中国与世界一线三维闪存企业的技能差距收缩到两年之内,被视为中国冲破美日韩把持关头一战。

  所谓3DNAND是经由过程将本来平铺的贮存单位重叠起来,构成多层布局供给容量,使本来只要1层的贮存单位重叠成64层或更多层。

  收缩产物上市周期

  报导指出,长江存储64层三维闪存是环球首款基于Xtacking架构计划并完成量产的闪存产物,具有同代产物中最高存储密度。立异的Xtacking技能只要一个处置步调便可经由过程数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合,比拟传统三维闪存架构可带来更快的传输速率、更高的存储密度和更短的产物上市周期。

  紫光团体联席总裁刁石京暗示,长江存储进入到这个范畴以前,海内不停没有大范围存储芯片的出产,将来,跟着云计较、大数据的成长,人类对数据存储请求是愈来愈高,三维闪存存储芯片是高端芯片一个紧张范畴,它的量产也标记着中国离国内先辈程度又大大跨近一步,把中国产物程度跟外洋的先辈程度收缩到了一代。

  来岁底月产六万片晶圆

  报导称,存储芯片合作剧烈,三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨擘在产能上延续投入。2018年,64层、72层的3DNAND闪存就已是主力产物,2019年起头量产92层、96层的产物,到2020年,大厂们行将进入128层3DNAND闪存的量产。

  业界有关人士阐发,长江贮存成长敏捷,但今朝亮相守旧,其固然未颁布量产范围,估计2020年末其可望将产能晋升至月产6万片晶圆的程度。

  据报导,长江存储64层三维闪存产物的量产无望使中国存储芯片自产率从8%晋升至40%。在美日韩大厂把持下,长江存储的64层3DNAND闪存量产动静别具意义。

  业界展望,长江存储最快来岁跳过96层直接进入128层三维闪存,完成弯道超车。据悉,长江存储已推出Xtacking2.0计划,借以晋升NAND吞吐速度、晋升体系级存储的综合机能、封闭定制化NAND全新贸易形式等,相关产物将被遍及利用于数据中间,企业级办事器、个人电脑和挪动装备等范畴。


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